Matériau de revêtement PVD

• Cible de pulvérisation d'oxyde de zinc (ZnO)

  Cible de pulvérisation d'oxyde de zinc (ZnO) utilisée pour le dépôt physique en phase vapeur par pulvérisation magnétron. Différents diamètres, épaisseurs et puretés disponibles pour convenir à...

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• Cible de pulvérisation de fluorure de magnésium (MgF2)

  Le fluorure de magnésium est un sel cristallin blanc transparent sur une large gamme de longueurs d'onde. Il est utilisé commercialement dans l'optique et dans les télescopes spatiaux. Il se...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde de lithium et de cobalt (L...

  L'oxyde de lithium-cobalt est une structure stratifiée, offrant un tunnel bidimensionnel pour la migration des ions lithium. La cible de pulvérisation LiCoO2 est un excellent matériau pour la...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde de molybdène (MoO3)

  La cible de pulvérisation d'oxyde de molybdène peut être utilisée dans les semi-conducteurs, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt physique en phase vapeur (PVD), les écrans et les...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde de magnésium (MgO)

  L'oxyde de magnésium utilisé dans les cibles de pulvérisation cathodique est principalement utilisé dans la formation de films à grande vitesse, dans les industries de la microélectronique et du...

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• Cible de pulvérisation de bisulfure de molybdène (MoS2)

  MoSi2 est une structure tétragonale. C'est une phase intermédiaire avec la plus forte teneur en silicium dans le système d'alliage binaire Mo-Si. C'est un composé intermétallique de Dalton avec...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde de niobium (Nb2O5)

  Nos cibles en oxyde de niobium sont produites à l'aide de procédés avancés de pressage à chaud sous vide, de pressage isostatique à chaud, de frittage par pressage à froid et de projection...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde de nickel (NiO)

  La cible NiO est un matériau utilisé dans les technologies de croissance de couches minces telles que le dépôt physique en phase vapeur (PVD) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ces...

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• Cible de pulvérisation en carbure de silicium (SiC)

  Cette section décrit en détail les caractéristiques de base des cibles en carbure de silicium, depuis ses propriétés chimiques et physiques, ses méthodes de préparation, jusqu'à une analyse...

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• Cible de pulvérisation de monoxyde de silicium (SiO)

  Le monoxyde de silicium est un composé inorganique de formule chimique SiO. Il se présente sous la forme d'une poudre amorphe de couleur brun noirâtre à loess à température et pression ambiantes.

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• Cible de pulvérisation d'oxyde d'aluminium (Al2O3)

  Le matériau cible en oxyde d'aluminium, ce matériau céramique de haute pureté et de haute densité, présente non seulement une excellente stabilité, mais peut également résister à des...

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• Cible de pulvérisation en nitrure d'aluminium (AlN)

  La cible de pulvérisation de nitrure d'aluminium peut également être appelée nitrure d'aluminium de haute pureté, matériau de dépôt de couche mince, cible de l'industrie des semi-conducteurs,...

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