Cibles de pulvérisation en céramique

• Cible de pulvérisation 4N ZrO2 avec plaque arrière en Cu

  Nos cibles de pulvérisation de dioxyde de zirconium avec plaques de support sont fabriquées à partir d'un matériau de dioxyde de zirconium de haute-pureté, solidement lié à une plaque de support...

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• Cible de pulvérisation ZrC avec plaque arrière en Cu

  Nos cibles de pulvérisation en carbure de zirconium (ZrC) avec plaques de support en cuivre présentent une liaison robuste entre le matériau cible ZrC de haute-pureté et le support en cuivre....

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• Cible de pulvérisation ZrC dopée à 5 at %

  Un dopage précis du carbure de zirconium avec un rapport atomique de 5 % de tantale améliore considérablement la résistance aux températures élevées, aux chocs thermiques et à la corrosion du...

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• Cible de pulvérisation 4N IGZO

  Nos cibles de pulvérisation 4N IGZO offrent des performances de pulvérisation plus stables et plus efficaces. Spécialisés pour les applications d'affichage et de semi-conducteurs haut de gamme,...

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• Cible 4N HfO2 avec plaque arrière en Cu

  La cible de pulvérisation 4N HfO₂ avec support en cuivre utilise un matériau d'oxyde de hafnium d'une pureté de 99,99 %. Intégré à un support en cuivre, il offre une excellente conductivité...

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• 4N HfO2 dopé avec une cible de Ti à 2 %

  La cible de pulvérisation HfO₂ dopée à 2 % de Ti-est fabriquée à l'aide d'un substrat d'oxyde de hafnium de haute-pureté, dopé avec précision à 2 % de titane. Caractérisé par son uniformité de...

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• Cible de pulvérisation 4N HfO2

  Cible de pulvérisation de dioxyde d'hafnium 4N de haute pureté-(pureté à 99,99 %) : adaptée aux applications dans les revêtements optiques, les semi-conducteurs et l'électronique de précision....

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• Cible de pulvérisation B4C

  Utilisant des matières premières en carbure de bore de haute-pureté, ce produit présente une dureté exceptionnelle et une stabilité thermique robuste, ce qui le rend idéal pour les applications...

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• Particules HfC personnalisées

  Description des particules de HfC personnalisées Les particules de HfC sont généralement synthétisées en faisant réagir du dioxyde de hafnium (HfO₂) avec du carbone à des températures élevées (1...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde d'étain (SnO2)

  La cible d'oxyde d'étain (SnO2) est un matériau inorganique non métallique important. En raison de ses propriétés physiques et chimiques uniques, il joue un rôle important dans de nombreux...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde de tantale (Ta2O5)

  La cible de pulvérisation d'oxyde de tantale peut être utilisée dans les semi-conducteurs, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt physique en phase vapeur (PVD), les écrans et les...

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• Cible de pulvérisation d'oxyde de titane (TiO2)

  Le dioxyde de titane (TiO2) est le pigment blanc le plus utilisé, par exemple dans les peintures. Il possède une brillance élevée et un indice de réfraction très élevé (2,609 pour le rutile).

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